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太赫兹脉冲可使相变材料长出晶体
发布时间:2021-09-12
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本文摘要:由日本京都大学、筑波大学、东海大学和产业技术综合研究所构成的研发小组找到,用高强度太赫兹脉冲太阳光热力学材料GeSbTe化合物(GST)后,该材料不会以纳米尺寸从非晶状态生长出有晶体。GST可用作目前用于的记录型DVD和新一代非易失性液体存储器,是一种倍受期望的热力学存储器记录材料。该研究利用世界最低强度的太赫兹脉冲分解技术,顺利向GST太阳光了高电场皮秒脉冲,晶体部分尖端的焦耳热增进晶体渐渐生长,由此可以引发各向异性晶体沿着电场方向生长。

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由日本京都大学、筑波大学、东海大学和产业技术综合研究所构成的研发小组找到,用高强度太赫兹脉冲太阳光热力学材料GeSbTe化合物(GST)后,该材料不会以纳米尺寸从非晶状态生长出有晶体。GST可用作目前用于的记录型DVD和新一代非易失性液体存储器,是一种倍受期望的热力学存储器记录材料。该研究利用世界最低强度的太赫兹脉冲分解技术,顺利向GST太阳光了高电场皮秒脉冲,晶体部分尖端的焦耳热增进晶体渐渐生长,由此可以引发各向异性晶体沿着电场方向生长。该成果具体了在存储器的电源动作中瞬间再次发生的高电场效应,另外还表明出有引发纳米尺寸大于结构变化的可能性,今后有助构建热力学存储器的小型化和高效率化。

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